极目新闻记者 赵鹏姝
通讯员 余小小
2月1日，武汉市科技重大专项“大面阵小像元非制冷红外探测器关键技术”项目启动会，在高德红外股份有限公司召开，会上同时举行了创新联合体签约仪式。
争抢技术高地，实现红外芯片国产化替代
近年来，因非制冷红外探测器具有应用广、成本低等特点，已成为全球各国争相抢占的技术高地。
在非制冷红外探测器芯片生产制造成本中，封装成本占比最高。随着非制冷红外探测器朝着小型化、低成本化和智能化方向的进一步发展，市场对非制冷红外探测器的封装技术提出了更高的要求。
在武汉市科技局、武汉东湖高新区科创局等相关部门的积极推动下，由武汉高德红外股份有限公司牵头联合武汉高芯科技有限公司、武汉微智芯科技有限公司、武汉大学等单位组建创新联合体开展合作攻关，为重大专项的启动和实施奠定了重要基础。
武汉高德红外股份有限公司董事长黄立表示，“大面阵小像元非制冷红外探测器关键技术”科技重大专项，有望在非制冷红外探测器关键制造工艺上取得突破，在航空航天、智能家居、汽车电子、智能制造等重点应用领域实现红外芯片国产化替代，推动武汉成为具有广泛国际影响力的非制冷红外探测器领域的科学中心、人才高地和产业重镇。
强化成果转化，注重推动产品科技化、先进性
武汉市科技局相关负责人表示，建设武汉具有全国影响力的科技创新中心，是推动武汉高质量发展的重大机遇。而光电子产业是科技创新的支柱产业之一，光电子产业的发展需要有核心关键技术，有一批重大的创新平台，来支撑科技创新建设。
项目经过了严格评审、认证、考察，希望通过“揭榜挂帅”组成的创新联合体，让龙头企业带动中下游企业融合创新，深度整合资源，协同攻关，更快更好推动项目。
武汉市科技局相关负责人强调，揭榜就是受命，挂帅就要出征，科技重大专项不仅需要强化产学研用合作，高质量高效率完成项目，也要强化成果转化，最终形成批量化生产能力。